SP6649P
是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。
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SP6649P是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置650V高壓功率MOSFET，芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。
SP6649P在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。
SP6649P內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動控制。
SP6649P采用DIP8封裝。
典型應(yīng)用框圖
應(yīng)用
● 全電壓范圍輸入時待機功耗小于75mW
● 內(nèi)置650V高壓功率管
● 軟啟動可用來減少MOSFET上Vds的應(yīng)力
● 抖頻功能，改善EMI性能
● 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗
● 無噪聲工作
● 固定65KHz開關(guān)頻率
● 內(nèi)置同步斜坡補償
● 低啟動電流，低工作電流
● 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
● 過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）
● VDD過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD電壓箝位，過溫保護（OTP）
● 充電器
● PDA、數(shù)碼相機、攝像機電源適配器
● 機頂盒電源
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